RENESASE logo

RENESAS RZ-T seeria 32-bitised ARM-põhised tipptasemel MPU-d mikroprotsessorid

RENESAS-RZ-T-seeria-32-bitised-Arm-põhised-tipptasemel-MPU-d-mikroprotsessorid-toode

Kogu nendes materjalides sisalduv teave, sealhulgas tooted ja toote spetsifikatsioonid, esindab teavet toote kohta avaldamise ajal ja Renesas Electronics Corp. võib seda ette teatamata muuta. Palun uuestiview uusim teave, mille on avaldanud Renesas Electronics Corp. erinevate vahendite kaudu, sealhulgas Renesas Electronics Corp. websait (http://www.renesas.com).

Märkus

  1. Selles dokumendis sisalduvad vooluringide, tarkvara ja muu seotud teabe kirjeldused on mõeldud ainult pooljuhttoodete ja rakenduste toimimise illustreerimiseks.amples. Olete täielikult vastutav ahelate, tarkvara ja teabe kaasamise või muu kasutamise eest oma toote või süsteemi kavandamisel. Renesas Electronics loobub igasugusest vastutusest teie või kolmandate isikute kahjude ja kahjude eest, mis tulenevad nende vooluringide, tarkvara või teabe kasutamisest.
  2. Renesas Electronics loobub käesolevaga sõnaselgelt mis tahes garantiidest ja vastutusest rikkumiste või muude nõuete eest, mis hõlmavad kolmandate isikute patente, autoriõigusi või muid intellektuaalomandi õigusi, mis tulenevad või tulenevad Renesas Electronicsi toodete või selles dokumendis kirjeldatud tehnilise teabe kasutamisest, sealhulgas mitte ainult tooteandmete, jooniste, diagrammide, programmide, algoritmide ja rakendustega, ntamples
  3. Käesolevaga ei anta Renesas Electronicsi ega teiste patendi, autoriõiguse ega muude intellektuaalomandi õiguste alusel otsest, kaudset ega muud litsentsi.
  4. Teie vastutate selle eest, et kindlaks tehtaks, milliseid litsentse on vaja kolmandatelt isikutelt, ja hangiksite need litsentsid Renesas Electronicsi tooteid sisaldavate toodete seaduslikuks impordiks, ekspordiks, tootmiseks, müügiks, kasutamiseks, levitamiseks või muuks kõrvaldamiseks, kui see on nõutav.
  5. Te ei tohi ühtegi Renesase Electronicsi toodet tervikuna ega osaliselt muuta, modifitseerida, kopeerida ega pöördprojekteerida. Renesas Electronics loobub igasugusest vastutusest teie või kolmandate isikute kahjude või kahjude eest, mis tulenevad sellisest muutmisest, muutmisest, kopeerimisest või pöördprojekteerimisest.
  6. Renesas Electronicsi tooted liigitatakse kahe kvaliteediklassi järgi: „Standardne“ ja „Kõrge kvaliteet“. Iga Renesas Electronicsi toote kavandatud kasutusalad sõltuvad toote kvaliteediklassist, nagu allpool näidatud. „Standardne“: arvutid; kontoriseadmed; sideseadmed; testimis- ja mõõteseadmed; audio- ja visuaalseadmed; koduelektroonikaseadmed; tööpingid; isiklikud elektroonikaseadmed; tööstusrobotid; jne. „Kõrge kvaliteet“: transpordivahendid (autod, rongid, laevad jne); liikluskorraldus (valgusfoorid); suuremahulised sideseadmed; olulised finantsterminalisüsteemid; ohutusjuhtimisseadmed; jne. Kui Renesas Electronicsi andmelehel või muus Renesas Electronicsi dokumendis ei ole sõnaselgelt nimetatud suure töökindlusega tooteks või tooteks karmidesse keskkondadesse, ei ole Renesas Electronicsi tooted ette nähtud ega lubatud kasutamiseks toodetes või süsteemides, mis võivad kujutada endast otsest ohtu inimelule või kehavigastustele (kunstlikud elutoetusseadmed või -süsteemid; kirurgilised implantaadid; jne) või põhjustada tõsist varalist kahju (kosmosesüsteemid; veealused repeaterid; tuumaenergia juhtimissüsteemid; õhusõidukite juhtimissüsteemid; peamised tehasesüsteemid; sõjavarustus; jne). Renesas Electronics ei vastuta teie või kolmandate isikute kahjude või kaotuste eest, mis tulenevad Renesas Electronicsi toote kasutamisest, mis ei ole kooskõlas Renesas Electronicsi andmelehe, kasutusjuhendi või muu Renesas Electronicsi dokumendiga.
  7. Ükski pooljuhttoode pole absoluutselt turvaline. Olenemata mis tahes turvameetmetest või funktsioonidest, mida Renesas Electronicsi riist- või tarkvaratoodetes võidakse rakendada, ei vastuta Renesas Electronics absoluutselt mis tahes haavatavuse või turvarikkumise tagajärjel, sealhulgas, kuid mitte ainult, Renesas Electronicsi toote või Renesas Electronicsi toodet kasutava süsteemi volitamata juurdepääsu või kasutamise tagajärjel. RENESAS ELECTRONICS EI GARANTEERI EGA TAGA, ET RENESAS ELECTRONICSI TOOTED VÕI KÕIK RENESAS ELECTRONICSI TOODETE ABIL LOODUD SÜSTEEMID ON HAAVATAMATUD VÕI VABA RIKKUMISEST, RÜNNAKUTEST, VIIRUSTEST, HÄIRETEST, HÄKKIMISEST, ANDMETE KAOTAMISEST VÕI VARGUSEST VÕI MUUSTEST TURVASISSETÕMBEMISEST („Haavatavusprobleemid“). RENESAS ELECTRONICS ÜTLEB LAHTI IGASUGUSE VASTUTUSE, MIS TULENEB VÕI ON NENDEGA SEOTUD. LISAKS, KOHALDATAVA SEADUSEGA LUBATUD ULATUSES KEELDUB RENESAS ELECTRONICS KÕIGIST OTSESEISTEST VÕI KAUDSETEST GARANTIIDEST SEOSES SELLE DOKUMENDIGA JA KÕIGI SEOTUD VÕI KAASASOLEVA TARKVARA VÕI RIISTVARAGA, SEALHULGAS, KUID MITTE AINULT, KAUBASTATAVUSE VÕI KINDLAKS OTSTARBEKS SOBIVUSE KAUBASTATAVUSE VÕI SOBIVUSE KAUBASTATAVUSE KOHTA.
  8. Renesas Electronicsi toodete kasutamisel lugege uusimat tooteteavet (andmelehed, kasutusjuhendid, rakenduste märkused, töökindluse käsiraamatu „Üldised märkused pooljuhtseadmete käsitsemise ja kasutamise kohta“ jne) ja veenduge, et kasutustingimused jääksid vahemikku. Renesas Electronicsi poolt määratud maksimaalsete nimiväärtuste osas, töötoiteallika mahttage tootevalik, soojuse hajumise karakteristikud, paigaldus jne. Renesas Electronics ei vastuta mis tahes rikete, rikete või õnnetuste eest, mis tulenevad Renesas Electronicsi toodete kasutamisest väljaspool nimetatud vahemikke.
  9. Kuigi Renesas Electronics püüab parandada Renesas Electronicsi toodete kvaliteeti ja töökindlust, on pooljuhttoodetel spetsiifilised omadused, nagu teatud sagedusega rikete esinemine ja tõrked teatud kasutustingimustes. Kui Renesas Electronicsi andmelehel või muus Renesas Electronicsi dokumendis ei ole nimetatud kõrge töökindlusega tooteks või karmides keskkondades kasutatavaks tooteks, ei kehti Renesas Electronicsi toodete kiirguskindlus. Vastutate ohutusmeetmete rakendamise eest, et kaitsta end kehavigastuste, vigastuste või tulekahjust põhjustatud kahjustuste ja/või avalikkuse ohu eest Renesas Electronicsi toodete rikke või talitlushäire korral, näiteks riistvara ja ohutusdisain. tarkvara, sealhulgas, kuid mitte ainult, koondamine, tuletõrje ja talitlushäirete vältimine, vananemise halvenemise asjakohane ravi või muud asjakohased meetmed. Kuna ainuüksi mikroarvutitarkvara hindamine on väga keeruline ja ebapraktiline, vastutate teie toodetud lõpptoodete või süsteemide ohutuse hindamise eest.
  10. Palun võtke ühendust Renesas Electronicsi müügiesindusega, et saada üksikasju keskkonnaküsimuste kohta, nagu iga Renesas Electronicsi toote keskkonnasõbralikkus. Teie vastutate kontrollitavate ainete kaasamist või kasutamist reguleerivate kohaldatavate seaduste ja määruste hoolika ja piisava uurimise eest, sealhulgas, kuid mitte ainult, EL RoHS-i direktiiv, ning Renesas Electronicsi toodete kasutamise eest kooskõlas kõigi nende kohaldatavate seaduste ja määrustega. Renesas Electronics loobub mis tahes vastutusest kahjude või kaotuste eest, mis on tekkinud kohaldatavate seaduste ja määruste mittejärgimise tõttu.
  11. Renesas Electronicsi tooteid ja tehnoloogiaid ei tohi kasutada ega inkorporeerida sellistesse toodetesse või süsteemidesse, mille tootmine, kasutamine või müük on kehtivate siseriiklike või välismaiste seaduste või määrustega keelatud. Peate järgima kõiki kohaldatavaid ekspordikontrolli seadusi ja eeskirju, mille on välja kuulutanud ja haldavad osapoolte või tehingute üle jurisdiktsiooni kinnitavate riikide valitsused.
  12. Renesas Electronicsi toodete ostja või turustaja või mis tahes muu osapool, kes toodet levitab, utiliseerib või muul viisil müüb või kolmandale isikule üle annab, on kohustatud sellist kolmandat osapoolt eelnevalt teavitama esitatud sisust ja tingimustest. selles dokumendis.
  13. Seda dokumenti ei tohi ilma Renesas Electronicsi eelneva kirjaliku nõusolekuta täielikult ega osaliselt ühelgi kujul uuesti trükkida, reprodutseerida ega paljundada.
  14. Kui teil on selles dokumendis sisalduva teabe või Renesas Electronicsi toodete kohta küsimusi, võtke ühendust Renesas Electronicsi müügiesindusega.
  • (Märkus1) „Renesas Electronics” tähendab käesolevas dokumendis Renesas Electronics Corporationi ja hõlmab ka selle otseselt või kaudselt kontrollitavaid tütarettevõtteid.
  • (Märkus2) „Renesas Electronicsi toode(d)” tähendab Renesas Electronicsi poolt välja töötatud või toodetud toodet.

Ettevõtte peakorter
TOYOSU FORESIA, 3-2-24 Toyosu, Koto-ku, Tokyo 135-0061, Jaapan www.renesas.com

Kaubamärgid
Renesas ja Renesase logo on ettevõtte Renesas Electronics Corporation kaubamärgid. Kõik kaubamärgid ja registreeritud kaubamärgid on nende vastavate omanike omand.

Kontaktandmed
Lisateabe saamiseks toote, tehnoloogia, dokumendi uusima versiooni või lähima müügiesinduse kohta külastage palun veebilehte:。 www.renesas.com/contact/

Üldised ettevaatusabinõud mikrotöötlusseadmete ja mikrokontrolleriseadmete toodete käsitsemisel
Järgmised kasutusjuhised kehtivad kõigi Renesase mikroprotsessori ja mikrokontrolleri toodete kohta. Selle dokumendiga hõlmatud toodete üksikasjalikud kasutusjuhised leiate dokumendi vastavatest jaotistest ja tehnilistest uuendustest, mis on toodete jaoks välja antud.

  1. Ettevaatusabinõud elektrostaatilise tühjenemise (ESD) vastu Tugev elektriväli CMOS-seadmele kokkupuutel võib põhjustada väravaoksiidi hävimist ja lõppkokkuvõttes seadme toimimist halvendada. Staatilise elektri tekkimise peatamiseks ja selle tekkimisel kiireks hajutamiseks tuleb võtta meetmeid. Keskkonnakontroll peab olema piisav. Kuiv ilm on kuiv, tuleks kasutada niisutajat. See on soovitatav, et vältida isolaatorite kasutamist, mis võivad staatilist elektrit kergesti tekitada. Pooljuhtseadmeid tuleb hoida ja transportida antistaatilises konteineris, staatilise varjestuse kotis või juhtivas materjalis. Kõik katse- ja mõõtevahendid, sealhulgas tööpingid ja põrandad, peavad olema maandatud. Operaator peab olema maandatud ka randmepaela abil. Pooljuhtseadmeid ei tohi paljaste kätega puudutada. Sarnaseid ettevaatusabinõusid tuleb võtta ka paigaldatud pooljuhtseadmetega trükkplaatide puhul.
  2. Töötlemine sisselülitamisel Toote olek on toite sisselülitamise ajal määratlemata. LSI sisemiste vooluringide olekud on määratlemata ning registrite sätete ja tihvtide olekud on toite sisselülitamise ajal määratlemata. Valmistootes, mille lähtestamissignaal rakendatakse välisele lähtestamistihvtile, ei ole tihvtide olekud garanteeritud alates toite sisselülitamise ajast kuni lähtestamisprotsessi lõppemiseni. Sarnasel viisil ei ole kiibile sisseehitatud lähtestamisfunktsiooniga lähtestatud toote tihvtide olekud garanteeritud alates toite sisselülitamise ajast kuni toite saavutamiseni tasemeni, mille juures lähtestamine on määratud.
  3. Signaali sisestamine väljalülitatud olekus Ärge sisestage signaale ega sisend-/väljundtoiteallikat, kui seade on välja lülitatud. Sellise signaali või sisend-/väljundtoiteallika sisendist tulenev voolusüst võib põhjustada talitlushäireid ja seadmest sel ajal läbiv ebanormaalne vool võib kahjustada sisemisi elemente. Järgige toote dokumentatsioonis kirjeldatud sisendsignaali juhiseid väljalülitatud olekus.
  4. Kasutamata tihvtide käsitsemine Käsitsege kasutamata tihvte vastavalt kasutusjuhendis kasutamata tihvtide käsitsemise alal antud juhistele. CMOS-toodete sisendtihvtid on üldiselt kõrge impedantsiga olekus. Avatud vooluringis kasutamata tihvtiga töötamisel indutseeritakse LSI läheduses täiendav elektromagnetiline müra, sellega kaasneb sisemiselt läbivooluvool ja sisendsignaali võimalikuks muutumisel tekivad tihvtide oleku valest tuvastamisest tingitud talitlushäired.
  5. Kellasignaalid Pärast lähtestamist vabastage lähtestusliin alles pärast seda, kui töökella signaal muutub stabiilseks. Kui lülitate programmi täitmise ajal kellasignaali, oodake, kuni sihtkella signaal stabiliseerub. Kui lähtestamise ajal genereeritakse kellasignaal välise resonaatori või välise ostsillaatoriga, veenduge, et lähtestusliin vabastatakse alles pärast taktsignaali täielikku stabiliseerumist. Lisaks, kui lülitate programmi täitmise ajal välise resonaatori või välise ostsillaatori poolt toodetud taktsignaalile üle, oodake, kuni sihtkella signaal on stabiilne.
  6. VoltagRakenduse lainekuju sisenditihvtil Sisendmürast või peegeldunud lainest tingitud lainekuju moonutus võib põhjustada talitlushäireid. Kui CMOS-seadme sisend jääb müra tõttu VIL-i (max.) ja VIH-i (min.) vahelisele alale, nt.ampseadme talitlushäireid. Olge ettevaatlik ja vältige koliseva müra sisenemist seadmesse, kui sisendtase on fikseeritud ja ka üleminekuperioodil, kui sisendtase läbib VIL-i (maksimaalne) ja VIH-i (minaalne) vahelist ala.
  7. 7. Reserveeritud aadressidele juurdepääsu keeld
    Juurdepääs reserveeritud aadressidele on keelatud. Reserveeritud aadressid on ette nähtud funktsioonide võimalikuks edaspidiseks laiendamiseks. Ärge pääsege neile aadressidele juurde, kuna LSI õige töö ei ole garanteeritud.
  8. Toodete erinevused Enne ühelt tootelt teisele üleminekut, ntampNäiteks kui tootekood on erinev, kinnitage, et muudatus ei tekita probleeme. Samasse gruppi kuuluvate, kuid erineva tootekoodiga mikroprotsessorite või mikrokontrolleriseadmete omadused võivad erineda sisemise mälumahu, paigutusmustri ja muude tegurite poolest, mis võivad mõjutada elektriliste omaduste vahemikke, nagu näiteks karakteristikute väärtused, töömarginaalid, mürakindlus ja kiiratava müra hulk. Teise tootekoodiga tootele üleminekul rakendage antud toote jaoks süsteemihindamise test.

Läbiview

See juhend pakub trükkplaatide projekteerimismeetodit, mis võtab arvesse vastavustõendamispunktide täitmist juhendis „RZ/T2H ja RZ/N2H rühmade trükkplaatide kontrollimise juhend LPDDR4 jaoks” (R01AN7260EJ****). Renesas pakub LPDDR4 võrdlusprojekti, mis on täielikult kontrollitud vastavalt kontrollimisjuhendile. Selles juhendis kasutatud trükkplaatide struktuurid ja topoloogiad viitavad võrdlusprojektile. Võite kopeerida võrdlusprojekti trükkplaatide paigutuse. Kuid kõiki kontrollimisjuhendis loetletud kontrollimispunkte tuleks põhimõtteliselt kontrollida SI ja PDN simulatsioonide abil, isegi kui andmed kopeeriti. Järgmised dokumendid kehtivad nende LSI-de kohta. Veenduge, et tutvute nende dokumentide uusimate versioonidega. Dokumendi numbri neli viimast numbrit (tähisega ****) näitavad iga dokumendi versiooniteavet. Loetletud dokumentide uusimad versioonid on saadud Renesas Electronicsilt. Web saidile.

Viitedokumentide loetelu 

Dokumendi tüüp Kirjeldus Dokumendi pealkiri Dokumendi nr
Riistvara kasutusjuhend Riistvara spetsifikatsioonid (tihvtide paigutus, välisseadmete funktsioonide spetsifikatsioonid, elektrilised omadused, ajastusdiagrammid) ja töö kirjeldus RZ/T2H ja RZ/N2H gruppide kasutusjuhend: riistvara R01UH1039EJ****
Rakendusmärkus LPDDR4 trükkplaadi kontrollimise juhend RZ/T2H ja RZ/N2H gruppide trükkplaatide verifitseerimise juhend LPDDR4 jaoks R01AN7260EJ****

Põhiteave

PCB struktuur
See juhend on mõeldud 8-kihilisele plaadile, millel on läbivad avaused. Iga kihi määramissignaal või võimsus (GND) 8-kihilisel plaadil on näidatud joonisel 2.1, iga kihi numbriline väärtus näitab selle paksust.RENESAS-RZ-T-seeria-32-bitised-ARM-põhised-tipptasemel-MPU-d-mikroprotsessorid-joonis-1

  • 8-kihiline läbiv auk
  • Alusmaterjal: FR-4
  • [Dielektriline konstant: suhteline läbilaskvus / kadude tangens]
  • Jootetakistus (SR): 3.7/0.017 (1 GHz puhul)
  • Prepreg (PP) 0.08 mm: 4.2/0.012 (1 GHz jaoks)
  • Prepreg (PP) 0.21 mm: 4.6/0.010 (1 GHz jaoks)
  • Tuum: 4.6/0.010 (1 GHz puhul)

Kujundusreeglid

  • VIA spetsifikatsioonid
  • Läbimõõt: 0.25 mm
  • Pinna läbimõõt: 0.5 mm
  • Sisemise kihi läbimõõt: 0.5 mm
  • Sisemise kihi läbimõõt: 0.7 mm
  • VIA keskus – VIA keskus: 0.8 mm (LSI)
  • VIA maandus – VIA maandus: 0.3 mm (LSI)
  • VIA keskus – VIA keskus: 0.65 mm (DRAM)
  • VIA maandus – VIA maandus: 0.15 mm (DRAM)RENESAS-RZ-T-seeria-32-bitised-ARM-põhised-tipptasemel-MPU-d-mikroprotsessorid-joonis-2
  • Minimaalne jälje laius: 0.1 mm
  • Minimaalne ruum
    • Juhtmestik – Juhtmestik: 0.1 mm
    • Juhtmestik – läbimõõt: 0.1 mm
    • Juhtmestik – BGA maandus: 0.1 mm
    • VIA – BGA maandus: 0.1 mm
    • Juhtmestik – BGA takistus: 0.05 mm

RENESAS-RZ-T-seeria-32-bitised-ARM-põhised-tipptasemel-MPU-d-mikroprotsessorid-joonis-3

Netovahetus

Neto swapi piirang
Mõned välised tihvtid on vahetatavad. Registrite seadistusi pole vaja, kuna DDR-i parameetrite genereerimise tööriist (gen_tool) pakub vahetusseadistust. Välise tihvti vahetamise üksikasjade kohta vaadake „RZ/T2H ja RZ/N2H rühmade kasutusjuhendit: riistvara, 57.4.1 Välise tihvti vahetamine” (R01UH1039EJ****) ja DDR-i parameetrite genereerimise tööriista.

ExampRZ/T2H jaoks lonksumise le
Tabelis 3.1 on näidatud eksampRZ/T2H võrdlusdisaini trükkplaadi paigutuse andmete toel valmistatud sumisemise lihvi.

Tabel 3.1 NäidampRZ/T2H jaoks lonksumise le (1/3)

RZ/T2H LPDDR4 Märkus
Pin nr Signaali nimi Pin nr Signaali nimi
K2 DDR_DQA0 F11 DQA11 -
K3 DDR_DQA1 F9 DQA12 -
K1 DDR_DQA2 E11 DQA10 -
K4 DDR_DQA3 E9 DQA13 -
J1 DDR_DQA4 C9 DQA14 -
H2 DDR_DQA5 B9 DQA15 -
H1 DDR_DQA6 C11 DQA9 -
J4 DDR_DQA7 B11 DQA8 -
F2 DDR_DQA8 B4 DQA7 -
E2 DDR_DQA9 C2 DQA1 -
G3 DDR_DQA10 C4 DQA6 -
F3 DDR_DQA11 E2 DQA2 -
E1 DDR_DQA12 F2 DQA3 -
E4 DDR_DQA13 B2 DQA0 -
F4 DDR_DQA14 F4 DQA4 -
G1 DDR_DQA15 E4 DQA5 -
J3 DDR_DMIA0 C10 DMIA1 -
G4 DDR_DMIA1 C3 DMIA0 -
K5 DDR_DQSA_T0 D10 DQSA_T1 -
G5 DDR_DQSA_T1 D3 DQSA_T0 -
J5 DDR_DQSA_C0 E10 DQSA_C1 -
F5 DDR_DQSA_C1 E3 DQSA_C0 -

ExampRZ/T2H jaoks lonksumise le (2/3)

RZ/T2H LPDDR4 Märkus
Pin nr Signaali nimi Pin nr Signaali nimi
U4 DDR_DQB0 U9 DQB12 -
V2 DDR_DQB1 V9 DQB13 -
V1 DDR_DQB2 U11 DQB11 -
V4 DDR_DQB3 Y9 DQB14 -
W2 DDR_DQB4 V11 DQB10 -
Y3 DDR_DQB5 AA11 DQB8 -
Y1 DDR_DQB6 AA9 DQB15 -
W3 DDR_DQB7 Y11 DQB9 -
AA1 DDR_DQB8 V4 DQB5 -
AB2 DDR_DQB9 Y2 DQB1 -
AB4 DDR_DQB10 AA2 DQB0 -
AC4 DDR_DQB11 AA4 DQB7 -
AC1 DDR_DQB12 U2 DQB3 -
AC3 DDR_DQB13 V2 DQB2 -
AB1 DDR_DQB14 Y4 DQB6 -
AA3 DDR_DQB15 U4 DQB4 -
W4 DDR_DMIB0 Y10 DMIB1 -
AB3 DDR_DMIB1 Y3 DMIB0 -
V5 DDR_DQSB_T0 W10 DQSB_T1 -
AA5 DDR_DQSB_T1 W3 DQSB_T0 -
W5 DDR_DQSB_C0 V10 DQSB_C1 -
AB5 DDR_DQSB_C1 V3 DQSB_C0 -

ExampRZ/T2H jaoks lonksumise le (3/3)

RZ/T2H LPDDR4 Märkus
Pin nr Signaali nimi Pin nr Signaali nimi
N1 DDR_CKA_T J8 CKA_T Ümberkaardistamist pole
M1 DDR_CKA_C J9 CKA_C Ümberkaardistamist pole
M6 DDR_CKEA0 J4 CKEA0 Ümberkaardistamist pole
L6 DDR_CKEA1 J5 CKEA1 Ümberkaardistamist pole
M4 DDR_CSA0 H4 CSA0 Ümberkaardistamist pole
M5 DDR_CSA1 H3 CSA1 Ümberkaardistamist pole
P4 DDR_CAA0 H11 CAA4 -
L2 DDR_CAA1 H2 CAA0 -
N3 DDR_CAA2 H9 CAA2 -
M2 DDR_CAA3 J2 CAA1 -
M3 DDR_CAA4 H10 CAA3 -
N5 DDR_CAA5 J11 CAA5 -
R1 DDR_CKB_T P8 CKB_T Ümberkaardistamist pole
T1 DDR_CKB_C P9 CKB_C Ümberkaardistamist pole
R2 DDR_CKEB0 P4 CKEB0 Ümberkaardistamist pole
P2 DDR_CKEB1 P5 CKEB1 Ümberkaardistamist pole
T6 DDR_CSB0 R4 CSB0 Ümberkaardistamist pole
U6 DDR_CSB1 R3 CSB1 Ümberkaardistamist pole
P3 DDR_CAB0 R9 CAB2 -
T2 DDR_CAB1 R2 CAB0 -
T4 DDR_CAB2 R10 CAB3 -
U1 DDR_CAB3 R11 CAB4 -
U3 DDR_CAB4 P11 CAB5 -
T5 DDR_CAB5 P2 CAB1 -
P7 DDR_RESET_N T11 RESET_N Ümberkaardistamist pole
R8 DDR_ZN - - Ümberkaardistamist pole
R7 DDR_DTEST - - Ümberkaardistamist pole
P8 DDR_ATEST - - Ümberkaardistamist pole

Üldised juhised

Komponentide paigutus
Joonis 4.1 näitab komponentide paigutuse eeldusi, kus U1 tähistab LSI-d ja M1 tähistab DRAM-i.

  • 2RANK juhtum: Aseta U1 ja M1 L1-le.

RENESAS-RZ-T-seeria-32-bitised-ARM-põhised-tipptasemel-MPU-d-mikroprotsessorid-joonis-4

IO toiteploki paigutuse juhend
IO toiteplokk (DDR_VDDQ) tuleks moodustada L6-le tasapinnana ning see peaks olema piisavalt suur, et katta kõik signaalijäljed ja DRAM. Nagu näidatud joonisel 4.2, asetage iga IO toiteploki ühe või kahe PAD-i kohta LSI lähedale üks VIA ja asetage iga VIA arvu kohta üks kondensaator. Kasutage GND PAD-e DDR_VDDQ lähedal ja asetage VIA-d GND jaoks sama reegli järgi. IO toiteploki voolutagasivoolutee lühendamiseks kaaluge kondensaatorite paigutamist võimalikult lühikese rajaga IO toiteploki ja GND-ni. Kontrollige paigutust PDN-analüüsi abil ja vaadake, kas tulemused vastavad kontrollimisjuhendis kirjeldatud spetsifikatsioonidele.RENESAS-RZ-T-seeria-32-bitised-ARM-põhised-tipptasemel-MPU-d-mikroprotsessorid-joonis-5

Topoloogia

Iga signaali juhtmetevahelise nihke üksikasjade kohta vaadake juhendit „RZ/T2H ja RZ/N2H rühmade trükkplaadi kontrollimise juhend LPDDR4 jaoks, 4.1.1 Nihke piirangud” (R01AN7260EJ****). Võrdlusdisaini trükkplaadi konfiguratsioon on näidatud allpool.

Topoloogia RZ/T2H

  • Süsteemi RANK: Kahekordne
  • LPDDR4 SDRAM: 64 GB
  • Sihtseade: MT53E2G32D4DE-046 AIT:C (Z42N QDP)
  • PCB8 kihti / üks-ühele / pealtkinnitusRENESAS-RZ-T-seeria-32-bitised-ARM-põhised-tipptasemel-MPU-d-mikroprotsessorid-joonis-6

PCB konfiguratsioon
Tabel 5.1 näitab soovitatavat IO seadistust. DRAM-mudeli puhul kasutati 2Rank standardprojekti trükkplaadi paigutuse andmeid.

Tabel 5.1 Soovitatav I/O seadistus

 

Signaal LSI DRAM Dampvastupanu Auastme number
Juhi seadistus ODT Juhi seadistus ODT
CLK 60Ω - - 60Ω - 1
60Ω (0. astme pool) VÄLJAS (1. astme pool) 2
CA 60Ω - - 60Ω - 1
60Ω (0. astme pool) VÄLJAS (1. astme pool) 2
CS 60Ω - - 60Ω - 1, 2
CKE Fikseeritud - - - 22Ω 1, 2
RESET Fikseeritud - - - - 1, 2
DQ, DQS

(Kirjutage)

40Ω VÄLJAS VÄLJAS 40Ω - 1
40Ω (ligipääsupool) VÄLJAS (mitteligipääsupool) 2
DQ, DQS

(Loe)

VÄLJAS 40Ω RONPD = 40Ω LSI ODT = 40Ω VOH = VDDQ / 3 VÄLJAS - 1
VÄLJAS (ligipääsupool) VÄLJAS (mitteligipääsupool) 2

CLK topoloogia
Joonis 5.2 näitab CLK topoloogiat. L1 tähistab jälje kihte, a0 kuni a0# näitavad jälje pikkust. Paaritu moodi impedants (Zodd) on võrdne Zdiff/2-ga. Kella jälgede Zodd peaks olema 40Ω±10%. Projekteerige kell vastavalt joonisel kirjeldatud topoloogiale.

  1. CLK paarid peaksid olema võrdse pikkusega. → a0=a0#
  2. Hoidke teiste signaalijälgede vahel vähemalt 0.25 mm.
  3. Kontrollige paigutust SI-simulatsiooni abil ja kontrollige selle tulemust, et see vastaks kontrollijuhendis toodud ajastus- ja lainekujupiirangutele. (Kohustuslik).

RENESAS-RZ-T-seeria-32-bitised-ARM-põhised-tipptasemel-MPU-d-mikroprotsessorid-joonis-7

CA topoloogia
Joonis 5.3 näitab CA topoloogiat. L1, L3 ja L8 tähistavad jäljekihte, a0 kuni c2 näitavad jälje pikkust. RENESAS-RZ-T-seeria-32-bitised-ARM-põhised-tipptasemel-MPU-d-mikroprotsessorid-joonis-8„on VIA-d. Aadressi- ja käsklussignaalid on ühepoolsed ja nende impedants (Z0) peaks olema 50Ω±10%. Aadressi- ja käsklussignaalide projekteerimisel tuleb järgida joonisel kirjeldatud topoloogiat.

  1. Kontrollige paigutust SI-simulatsiooni abil ja kontrollige selle tulemust, et see vastaks kontrollijuhendis toodud ajastus- ja lainekujupiirangutele. (Kohustuslik)RENESAS-RZ-T-seeria-32-bitised-ARM-põhised-tipptasemel-MPU-d-mikroprotsessorid-joonis-9

CTRL-topoloogia
Joonis 5.4 näitab CTRL topoloogiat. L1, L3 ja L8 tähistavad jäljekihte, a0 kuni c3 näitavad jälje pikkust. RENESAS-RZ-T-seeria-32-bitised-ARM-põhised-tipptasemel-MPU-d-mikroprotsessorid-joonis-8„on VIA-d. Juhtsignaalid on ühepoolsed ja nende impedants (Z0) peaks olema 50Ω±10%. Projekteerige juhtsignaalid, mis järgivad sellel joonisel kirjeldatud topoloogiat.

  1. Kontrollige paigutust SI-simulatsiooni abil ja kontrollige selle tulemust, et see vastaks kontrollijuhendis toodud ajastus- ja lainekujupiirangutele. (Kohustuslik)RENESAS-RZ-T-seeria-32-bitised-ARM-põhised-tipptasemel-MPU-d-mikroprotsessorid-joonis-10

LÄHTESTA topoloogia
Joonis 5.5 näitab RESET-i topoloogiat. L1 ja L3 tähistavad jäljekihte, a0 kuni a2 näitavad jälje pikkust.RENESAS-RZ-T-seeria-32-bitised-ARM-põhised-tipptasemel-MPU-d-mikroprotsessorid-joonis-8 „on VIA-d. Lähtestamissignaal on ühe otsaga ja selle impedantsid (Z0) peaksid olema 50Ω±10%. Projekteerige juhtmestik nii, et juhtmestiku topoloogia oleks näidatud joonisel.

  1. Kontrollige paigutust SI-simulatsiooni abil ja kontrollige selle tulemust, et see vastaks kontrollijuhendis toodud ajastus- ja lainekujupiirangutele. (Kohustuslik)RENESAS-RZ-T-seeria-32-bitised-ARM-põhised-tipptasemel-MPU-d-mikroprotsessorid-joonis-11

DQS/DQ topoloogia
Joonis 5.6 ja joonis 5.7 näitavad DQS/DQ topoloogiat. Alloleval joonisel L1, L3 ja L8 tähistavad jälje kihte, a0 kuni b2 näitavad jälje pikkust. „” on VIA-d. DQS ja DQS# jälgede Zodd peaks olema 40Ω±10%. DQ ja DM jälgede Z0 peaks olema 45Ω±10%. Projekteerige DQS, järgides sellel joonisel kirjeldatud topoloogiat.

  1. DQS-paarid peaksid olema võrdse pikkusega. → a0=a0#
  2. Hoidke teiste signaalijälgede vahel vähemalt 0.25 mm.
  3. Kontrollige paigutust SI-simulatsiooni abil ja kontrollige selle tulemust, et see vastaks kontrollijuhendis toodud ajastus- ja lainekujupiirangutele. (Kohustuslik)RENESAS-RZ-T-seeria-32-bitised-ARM-põhised-tipptasemel-MPU-d-mikroprotsessorid-joonis-12

Sihtmärgi signaalid: DDR_DMIA[0:1], DDR_DQA[0:15],DDR_DMIB[0:1],DDR_DQB_[0:15]

RENESAS-RZ-T-seeria-32-bitised-ARM-põhised-tipptasemel-MPU-d-mikroprotsessorid-joonis-13

Teiste tihvtide käitlemine

Teiste tihvtide käsitsemine on järgmine.

  • DDR_ZN: DDR_ZN ja VSS (GND) vahele tuleb ühendada 120 (±1%) väline takisti.
  • DDR_DTEST, DDR_ATEST: Hoidke need tihvtid lahti.
 

Rev.

 

Kuupäev

Kirjeldus
Lehekülg Kokkuvõte
0.70 26. märts 2024 ¾ Esimene eeltrükk ilmus
1.00 30. september 2024 5 1 ÜleviewLisatud on kirjeldus võrdlusdisaini kohta.
8 3.1 Võrguvahetuse piirang: Lisatud DDR-parameetrite genereerimise tööriista kirjeldus.

RZ/T2H ja RZ/N2H rühmade trükkplaatide disainijuhend LPDDR4 jaoks

  • Avaldamise kuupäevVersioon 0.70, 26. märts 2024 Versioon 1.00, 30. september 2024
  • Väljaandja: Renesas Electronics Corporation

KKK-d

K: Kas ma saan seda dokumenti paljundada või dubleerida?
V: Ei, seda dokumenti ei tohi ilma Renesas Electronicsi eelneva kirjaliku nõusolekuta uuesti trükkida, reprodutseerida ega paljundada.

K: Kuidas ma saan Renesas Electronicsi toodete kohta lisateavet?
A: Lisaküsimuste korral võtke ühendust Renesas Electronicsi müügiesindusega.

Dokumendid / Ressursid

RENESAS RZ-T seeria 32-bitised ARM-põhised tipptasemel MPU-d mikroprotsessorid [pdfKasutusjuhend
RZ-T seeria, RZ-T seeria 32-bitised ARM-põhised tipptasemel MPU-d mikroprotsessorid, 32-bitised ARM-põhised tipptasemel MPU-d mikroprotsessorid, tipptasemel MPU-d mikroprotsessorid, mikroprotsessorid

Viited

Jäta kommentaar

Teie e-posti aadressi ei avaldata. Kohustuslikud väljad on märgitud *